マスク氏がEUV光源技術に注目 自由電子レーザーで半導体コスト革新へ
イーロン・マスク氏が、次世代半導体製造の中核技術であるEUV露光用光源に注目しています。現在の商用EUV装置ではLPP方式が主流ですが、マスク氏は自由電子レーザーFEL技術に大きな可能性を見出しているとされています。FELは理論上、従来方式より低コストで高性能なEUV光源を実現できる可能性があり、先端チップ製造のコスト構造を変える技術として期待されています。一方で、FELはまだ研究開発の初期段階にあり、実用化には技術的な課題が残っています。電気自動車、宇宙開発、人型ロボットなど幅広い分野へ進出してきたマスク氏が、半導体製造技術にも影響を与える可能性があります。