サムスン電子が1ナノ世代でHigh NA EUV導入を計画
サムスン電子は2030年までの商用化を目指す1ナノメートル世代の半導体製造で、次世代極端紫外線技術「High NA EUV」の導入を進めています。同社の研究員は8月11日、次世代リソグラフィ技術に関する学術会議で、先端半導体向けの光刻技術ロードマップを公開しました。EUV技術は従来のArF光源より短い13.5ナノメートルの波長を利用し、微細な回路形成を可能にします。High NA EUVの実用化により、多重パターニング工程の削減、製造コスト低下、生産効率向上が期待されています。