キオクシアとサンディスクが第9世代2Tb QLC 3Dフラッシュ発表

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キオクシアとサンディスクは8月12日、AIやデータ集約型アプリケーション向けに設計した第9世代2Tb QLC 3Dフラッシュメモリ技術を発表しました。新技術は従来の第8世代2Tb QLCと比べ、読み書き帯域幅の向上と消費電力効率の改善を実現しています。NANDインターフェース速度は4.8Gb/sに達し、第8世代製品から約33%高速化しました。大容量データ処理やAIシステムの需要拡大を背景に、高性能かつ省電力なストレージ技術として、次世代データセンターやAI関連機器への活用が期待されています。
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